サムスンから容量4TBの2.5インチSSD「MZ-75E4T0B/IT」が発売！ | デジモノ街道〜物欲に負ける日々〜

SAMSUNG（サムスン）から容量4TBの2.5インチSSD「MZ-75E4T0B/IT」が発売されています！

値段はなんと、、、198,000円！（実売）

た、高いですが、これで大容量HDDの容量で高速ですからね。

最強ですね。

NANDフラッシュは「3D V-NAND」、コントローラには「Samsung MHX」、キャッシュメモリはLPDDR3 SDRAM 4GBが搭載されています。

サムスンは、Galaxyのバッテリー問題（スマホ爆発問題）で信用がガタ落ちしてますが、

それはスマホ部門であって、NAND部門では世界一のシェアと3D NANDの技術があり、

東芝もようやく向上増設して生産に拍車をかけるといった形でサムスンに追いつこうとしてます。

スペック
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スペック

製品シリーズ			Samsung SSD 850 EVO シリーズ
型番	ベーシックキット		MZ-75E 4T0B/IT	MZ-75E 2T0B/IT	MZ-75E 1T0B/IT	MZ-75E 500B/IT	MZ-75E 250B/IT	MZ-75E 120B/IT
容量			4TB	2TB	1TB	500GB	250GB	120GB
インターフェース(転送速度:規格値)			SATA(6Gb/s) ※SATA 3Gb/s およびSATA 1.5Gb/s 互換
フォームファクタ			7mm厚2.5インチHDD互換
	外形寸法(L×W×H)		100 × 69.85 × 6.8(mm)
	質量		最大55g
搭載デバイス	NANDフラッシュ		Samsung V‐NAND フラッシュメモリ
	コントローラ		Samsung自社製コントローラ
	キャッシュメモリ		4GB	2GB	1GB	512MB		256MB
パフォーマンス ^(*1)	シーケンシャル	読み出し	540 MB/s
	シーケンシャル	書き込み	520 MB/s
	4KB ランダム(QD1)	読み出し	10,000 IOPS
	4KB ランダム(QD1)	書き込み	40,000 IOPS					38,000 IOPS
	4KB ランダム(QD32)	読み出し	98,000 IOPS				97,000 IOPS	94,000 IOPS
	4KB ランダム(QD32)	書き込み	90,000 IOPS				88,000 IOPS
各種機能	ターボライトテクノロジー		○
	TRIMサポート		○ ※OSが対応している場合
	ガベージコレクション		○
	S.M.A.R.T (自己診断機能)		○
	セキュリティ		AES 256 bitフルディスク暗号化(FDE)、TCG/Opal V.2、Encrypted Drive(IEEE1667)
	デバイススリープモード (DevSleep)		○
耐久性	耐振動性		20G(20~2000Hz) 非動作時
	耐衝撃性		1,500G/0.5ms(Half sine) 非動作時
	MTBF(平均故障間隔)		150万時間
消費電力^(*2)	動作時 (平均)	読み出し	3.1W
	動作時 (平均)	書き込み	3.6W
	アイドル時		70mW
	デバイススリープモード時		10mW	5mW	4mW	2mW
使用環境	温度範囲		0℃~70℃(動作時)-40℃~85℃(非動作時)
使用環境	湿度範囲		5%~95%(結露なきこと)
ソフトウエア^(*3)	データ移行ソフトウエア		Samsung Data Migration(日本語対応)
ソフトウエア^(*3)	ユーティリティソフトウエア		Samsung Magician Software(日本語対応)
添付品			Samsung Software & マニュアル CD-ROM、取付ガイド、保証規定
各種取得規格・法規制			VCCI、RoHS指令準拠
保証・サポート^(*4)	保証期間		5年間
	TBW		300TBW		150TBW		75TBW
	製品サポート		Samsung SSDサポートセンターによる電話、メールサポート及び修理対応